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深圳市凯斯宇科技有限公司
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产品信息
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：55 V
Id-连续直流电流：41 A
Rds上漏源导通电阻：35毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：16 V
Qg-血浆甲醛：32 nC
Pd-功率耗散：83 W
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
MOSFET晶体管类型：1 N沟道
宽度：4.4毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRLZ44NPBF SP001568772
单位重量：6 g
特征
•逻辑级门驱动
•先进的工艺技术
•动态dv / dt评级
•175°C工作温度
•快速切换
•完全雪崩等级
•无铅
描述
来自国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术，
以使每个硅面积的导通电阻尽可能低。 这种好处与HEXFET
功率M0SFET的快速开关速度和坚固的设备设计相结合，
为止痛提供了设计者非常高效的设备，可广泛用于各种应用中。
T0-220封装普遍适用于所有商业工业应用，其功耗水平约为50瓦。
T0-220的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可。
额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
47 |
|
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
33 |
A |
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
160 |
|
|
PD @TC = 25°C |
Power Dissipation |
110 |
W |
|
|
Linear Derating Factor |
0.71 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
士16 |
V |
|
EAS |
Single Pulse Avalanche Energy 0 |
210 |
mJ |
|
IAR |
Avalanche CurrentCD |
25 |
A |
|
EAR |
Repetitive Avalanche EnergyCD |
11 |
mJ |
|
dv/dt |
Peak Diode Recovery dv/dt a> |
5.0 |
V/ns |
|
TJ |
Operating Junction and |
-55 to + 175 |
|
|
TSTG |
Storage Temperature Range |
°C |
|
|
|
Soldering Temperature, for 10 seconds |
300 (1.6mm from case) |
|
|
|
Mounting torque, 6-32 or M3 screw. |
10 lbf•in (1.1N•m) |
|